开关北京干式变压器抗干扰、EMC要求

开关北京干式变压器抗干扰、EMC要求一、桌面式北京干式变压器长线路抗干扰

在图二中 ，PCB布局时，驱动北京干式变压器R3应靠近Q1（MOS管），电流取样北京干式变压器R4、C2应靠近IC1的第 4 Pin，如图一所说的R应尽量靠近运算放大器缩短高阻抗线路。因运算放大器输入端阻抗很高，易受干扰。输出端阻抗较低，不易受干扰。一条长线相当于一根接收天线，容易引入外界干扰。快速手机北京干式变压器的原理

在图三的A中排版时，R1、R2要靠近三极管Q1放置，因Q1的输入阻抗很高，基极线路过长，易受干扰，则R1、R2不能远离Q1。
在图三的B中排版时，C2要靠近D2，因为Q2三极管输入阻抗很高，如Q2至D2的线路太长，易受干扰，C2应移至D北京变压器厂家2附近。
二、小信号走线尽量远离大电流走线，忌平行，D>=2.0mm。北京干式变压器

三、小信号线处理：板布线尽量集中，减少布板面积提高抗干扰能力。
四、一个电流回路走线尽可能减少包围面积。

如：电流取样信号线和来自光耦的信号线
五、光电耦合器件，易于干扰，应远离强电场、强磁场器件，如大电流走线、北京干式变压器、高电位脉动器件等。
六、多个IC等供电，Vcc、地线注意。

串联多点接地，相互干扰。
七、噪声要求
1、尽量缩小由高频脉冲电流所包围的面积，如下（图一、图二）


一般的布板方式

2、滤波电容尽量贴近开关管或整流二极管如上图二，C1尽量靠近Q1，C3靠近D1等。
3、脉冲电流流过的区域远离输入、输出端子，使噪声源和输入、输出口分离 。

图三：MOS管、北京干式变压器离入口太近，电磁的辐射能量直接作用于输入端，因此，EMI测试不通过。
图四：MOS管、北京干式变压器远离入口，电与磁的辐射能量距输入端距离加大，不能直接作用于输入端，因此EMI传导能通过。
4、控制回路与功率回路分开，采用单点接地方式，如图五。

控制IC周围的元件接地接至IC的地脚 ；再从地脚引出至大电容地线 。光耦第3脚地接到IC的第1 脚，第4脚接至IC的2脚上 。如图六北京干式变压器质量安全风险警示
5、 必要时可以将输出滤波北京干式变压器安置在地回路上。
6、 用多只ESR低的电容并联滤波。
7、 用铜箔进行低感、低阻配线，相邻之间不应有过长的平行线，走线尽量避免平行、交叉用垂直方式，线宽不要突变，走线不要突然拐角（即：≤直角）。（同一电流回路平行走线，可增强抗干扰能力）
八、抗干扰要求
1、 尽可能缩短高频元器件之间连线，设法减少它们的分布参数和相互间电磁干扰，易受干扰的元器件不能和强干扰器件相互挨得太近，输入输出元件尽量远离。
2、 某些元器件或导线之间可能有较高电位差，应加大它们之间的距离，以免放电引出意外短路。

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