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开关北京干式变压器抗干扰、EMC要求

网站编辑:北京变压器厂 │ 发表时间:2019-11-02 | 点击:501

开关北京干式变压器抗干扰、EMC要求一、桌面式北京干式变压器长线路抗干扰

在图二中 ,PCB布局时,驱动北京干式变压器R3应靠近Q1(MOS管),电流取样北京干式变压器R4、C2应靠近IC1的第 4 Pin,如图一所说的R应尽量靠近运算放大器缩短高阻抗线路。因运算放大器输入端阻抗很高,易受干扰。输出端阻抗较低,不易受干扰。一条长线相当于一根接收天线,容易引入外界干扰。快速手机北京干式变压器的原理

在图三的A中排版时,R1、R2要靠近三极管Q1放置,因Q1的输入阻抗很高,基极线路过长,易受干扰,则R1、R2不能远离Q1。
在图三的B中排版时,C2要靠近D2,因为Q2三极管输入阻抗很高,如Q2至D2的线路太长,易受干扰,C2应移至D北京变压器厂家2附近。
二、小信号走线尽量远离大电流走线,忌平行,D>=2.0mm。北京干式变压器

三、小信号线处理:板布线尽量集中,减少布板面积提高抗干扰能力。
四、一个电流回路走线尽可能减少包围面积。

如:电流取样信号线和来自光耦的信号线
五、光电耦合器件,易于干扰,应远离强电场、强磁场器件,如大电流走线、北京干式变压器、高电位脉动器件等。
六、多个IC等供电,Vcc、地线注意。

串联多点接地,相互干扰。
七、噪声要求
1、尽量缩小由高频脉冲电流所包围的面积,如下(图一、图二)


一般的布板方式

2、滤波电容尽量贴近开关管或整流二极管如上图二,C1尽量靠近Q1,C3靠近D1等。
3、脉冲电流流过的区域远离输入、输出端子,使噪声源和输入、输出口分离 。

图三:MOS管、北京干式变压器离入口太近,电磁的辐射能量直接作用于输入端,因此,EMI测试不通过。
图四:MOS管、北京干式变压器远离入口,电与磁的辐射能量距输入端距离加大,不能直接作用于输入端,因此EMI传导能通过。
4、控制回路与功率回路分开,采用单点接地方式,如图五。

控制IC周围的元件接地接至IC的地脚 ;再从地脚引出至大电容地线 。光耦第3脚地接到IC的第1 脚,第4脚接至IC的2脚上 。如图六北京干式变压器质量安全风险警示
5、 必要时可以将输出滤波北京干式变压器安置在地回路上。
6、 用多只ESR低的电容并联滤波。
7、 用铜箔进行低感、低阻配线,相邻之间不应有过长的平行线,走线尽量避免平行、交叉用垂直方式,线宽不要突变,走线不要突然拐角(即:≤直角)。(同一电流回路平行走线,可增强抗干扰能力)
八、抗干扰要求
1、 尽可能缩短高频元器件之间连线,设法减少它们的分布参数和相互间电磁干扰,易受干扰的元器件不能和强干扰器件相互挨得太近,输入输出元件尽量远离。
2、 某些元器件或导线之间可能有较高电位差,应加大它们之间的距离,以免放电引出意外短路。

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